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후공정기술

기술소개 : 기술명, 요약, 결과, 사진, 기술적가치, 활동분야, 기술관련문의로 구성
기술명 Sapphire(SiC) wafer 절삭 공정
요약 ㆍ 사파이어 웨이퍼와 같이 높은 경도의 물질은 일반적으로 절삭 가공이 매우 까다롭다.
- 일반 Quartz에 비하여 누프경도는 2.2배, 비커스 경도는 5.5배 높음
- 다이아몬드 그릿이 박힌 블레이드로 가공함에 있어, 경도가 매우 낮은 Si 자재를 비롯하여 Glass, Quartz 등의 자재보다 가공이 매우 어렵다는 것을 의미
ㆍ 일련의 대안으로 스텔스 레이저 다이싱 설비로 사파이어 절삭을 진행하기도 하는데, 가격이 매우 비싸다는 단점
ㆍ Vitrified bond(주로 edge grinding에 이용됨) 재질의 블레이드 및 비접촉 센서가 장착된 다이싱 설비를 이용하여 공정 지원
결과 ㆍ Sapphire 절삭 공정 조건 Setup 완료
사진

ㆍSapphire 절삭 공정 조건 Setup

  - Cutting 방식: Step cut(1st Step: ~150um/이후 Step: ~250um)

  - RPM : 10000 rpm -> rpm이 낮을수록 절삭력이 높아짐  - Feed speed: 1 mm/s (Blade 社 guarantee 조건)

기술적가치 ㆍ 경도가 높은 wafer를 이용한 소자 분야 공정 지원 (ex: sapphire/SiC등)
활동분야 ㆍ 전자소자(HEMT) 분야
ㆍ Nano-electronics
ㆍ 시스템반도체 소자 분야
ㆍ Epi 소자를 활용한 분야
기술관련문의 ㆍ 공정서비스지원실 이용수 주임 (031-546-66318, yongsu.lee@kanc.re.kr)