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기술소개

후공정기술

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후공정기술 Sapphire(SiC) wafer 절삭 공정 ㆍ 사파이어 웨이퍼와 같이 높은 경도의 물질은 일반적으로 절삭 가공이 매우 까다롭다.
- 일반 Quartz에 비하여 누프경도는 2.2배, 비커스 경도는 5.5배 높음
- 다이아몬드 그릿이 박힌 블레이드로 가공함에 있어, 경도가 매우 낮은 Si 자재를 비롯하여 Glass, Quartz 등의 자재보다 가공이 매우 어렵다는 것을 의미
ㆍ 일련의 대안으로 스텔스 레이저 다이싱 설비로 사파이어 절삭을 진행하기도 하는데, 가격이 매우 비싸다는 단점
ㆍ Vitrified bond(주로 edge grinding에 이용됨) 재질의 블레이드 및 비접촉 센서가 장착된 다이싱 설비를 이용하여 공정 지원
후공정기술 Laser lift off를 이용한 micro LED 전사 기술 ㆍ GaN base micro LED chip array를 Laser lift off machine의 KrF(248nm) laser 조사를 통해 sapphire substrate로부터 분리하여 유연 필름(UV tape)으로 전사하는 기술을 제공한다.
후공정기술 Chipping & crack-less Dicing 기술 ㆍ 다이싱 기술 동향: 웨이퍼의 사이즈도 점차 커지는 반면 칩 사이즈는 작아지고, 두께도 얇아지는 양상으로 칩 손실 없이, 웨이퍼의 대구경화에 대응하는 다이싱 기술의 개발도 중요해지고 있음
ㆍ 블레이드에서 발생하는 추력(thrust force)에 의한 brittle fracture과 actual crack를 최소화하여, 얇은 박막, 또는 lower (Vickers) hardness value를 가진 물질의 dicing 기술을 제공한다.
후공정기술 AgSn Bonding metal 조건 개발AgSn 웨이퍼 본딩 기술 ㆍ AgSn bonding metal은 Wafer간 접합 solder용으로 일반적으로 많이 사용되는 AuSn 대비 Ag 조성 control이 어려우나 Au를 대체하여 가격적인 측면에서 advantage가 있는 eutectic metal 임
ㆍ 미리 조성이 결정된 AgSn의 alloy를 사용하는 것이 아니라 Ag와 Sn 각각의 source를 co-deposition하여 phase diagram에 따른 eutectic melting point에 적합한 원하는 조성을 얻을 수 있음
후공정기술 AuSn 웨이퍼 본딩 기술 ㆍ AuSn bonding metal은 Wafer간 접합 solder용으로 Verticle LED의 LLO전
Bonding metal로 이용되거나 고주파 디바이스나 광통신 디바이스의 접합재
에 많이 이용되는 eutectic metal임
ㆍ 미리 조성이 결정된 AuSn의 alloy를 사용하는 것이 아니라 Au와 Sn 각각의
source를 co-deposition하여 phase diagram에 따른 eutectic melting point
에 적합한 원하는 조성을 얻을 수 있음

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